N1292MH Search Results

2092A

Contextual Info: 20 83A LD L o w D rive S eries V Dss = 6 0 V 2092A P Channel Power M OSFET \E 3 7 6 4 A F e a tu re s •Low ON resistance ■Very high-speed switching • Low-voltage drive A bsolute M axim um R atin g s at Ta = 25°C D rain to Source Voltage V d ss Gate to Source Voltage

Contextual Info: Ordering number:EN3509A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ187 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions • Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive. unit:mm 2062A [2SJ187] 4.5 1.6 0.4 1.0 2.5 4.25max 1.5 0.5

2SJ191

Contextual Info: 2SJ191 2083A LD L o w D rive Series V Dss = 6 0 V 2092A P Channel Power MOSFET 3764A Features • Low ON resistance •Very high-speed switching • Low-voltage drive Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C Drain to Source Voltage Vdss Gate to Source Voltage

2SJ187

Abstract: 3509-1 35094 2062a 35092
Contextual Info: Ordering number:EN3509A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ187 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions • Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive. unit:mm 2062A [2SJ187] 4.5 1.6 0.4 1.0 2.5 4.25max 1.5 0.5

2SJ272

Abstract: ITR00288 ITR00289 ITR00290 ITR00291
Contextual Info: 注文コード No.N 4 2 3 8 2SJ272 No. 4 2 3 8 61599 新 2SJ272 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・低電圧駆動。 ・マイカレスパッケージで取り付け作業性が良い。

2SJ190

Contextual Info: Ordering number:EN3763 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ190 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions • Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive. unit:mm 2062A [2SJ190] 4.5 1.6 0.4 1.0 2.5 4.25max 1.5 0.5 3

ITR00308

Abstract: 2SJ274 ITR00309 ITR00310 ITR00311
Contextual Info: 注文コード No.N 4 2 3 9 2SJ274 No. 4 2 3 9 52099 新 2SJ274 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・低電圧駆動。 ・マイカレスパッケージで取り付け作業性が良い。

2SJ266

Abstract: ITR00258 ITR00259 ITR00260 ITR00261 ITR00262 IT00265
Contextual Info: 注文コード No.N 4 2 3 6 2SJ266 No. 4 2 3 6 三洋半導体ニューズ 52099 新 2SJ266 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・低電圧駆動。

2SJ263

Abstract: ITR00228 ITR00229 ITR00230 ITR00231
Contextual Info: 注文コード No.N 4 2 3 4 2SJ263 三洋半導体ニューズ No. 4 2 3 4 52099 新 2SJ263 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・低電圧駆動。

2SJ187

Contextual Info: O rd e rin g n u m b e r: EN3509A 2 SJ 187 NO.3509A SAXYO P-Channel MOS Silicon FET i Very High-Speed Switching Applications F e a tu re s • Low ON resistance • Very high-speed switching • Low-voltage drive A bsolute M axim um R atings a tT a = 25°C

2SJ190

Abstract: 2SJ19
Contextual Info: 2SJ190 4fr 2062 L D L o w D riv e S e rie s V o ss” 6 0 V P Channel P o w er M O S F E T •£■3763 F e a tu re s • Low ON resistance ■Very high-speed switching ■Low-voltage drive A bsolute M axim um R atin g s a t Ta = 25°C Drain to Source Voltage

2SJ187

Contextual Info: 2SJ187 LD L o w D r iv e S e r ie s 2062 V dss = 30V P Channel Power M OSFET F eatu res •Low ON resistance ■Very high-speed switching ■Low-voltage drive A bsolute M axim um R atin g s a tT a = 25°C Drain to Source Voltage V d ss Gate to Source Voltage

bx 18A

Abstract: 2SJ268 ITR00278 ITR00279 ITR00280 ITR00281 ITR00282
Contextual Info: 注文コード No.N 4 2 3 7 2SJ268 No. 4 2 3 7 三洋半導体ニューズ 61599 新 2SJ268 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・低電圧駆動。

ITR00341

Abstract: ITR00342 2SJ277 ITR00338 ITR00339 ITR00340 2090a
Contextual Info: 注文コード No.N 4 2 4 1 2SJ277 No. 4 2 4 1 三洋半導体ニューズ 61499 新 2SJ277 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・低電圧駆動。

2SJ188

Contextual Info: Ordering number:EN3761A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ188 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive. Package Dimensions unit:mm 2083B [2SJ188] 2.3 1.5 6.5 5.0 0.5 5.5 7.0 4 1.2 7.5

2SJ191

Contextual Info: Ordering number:EN3764A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ191 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions • Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive. unit:mm 2083B [2SJ191] 2.3 1.5 6.5 5.0 0.5 5.5 7.0 4 1.2 7.5

Contextual Info: 2SJ189 • ♦ 2083A 2092A LD L o w D riv e S e rie s V DSs= 3 0 V P Channel Power M OSFET 3762A F e a tu re s •Low ON resistance • Very high-speed switching • Low-voltage drive A b so lu te M axim um R a tin g s at Ta = 25°C Drain to Source Voltage

2SJ190

Contextual Info: Ordering number :EN 3763 2 SJ 19 0 No.3763 P-Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications F e a tu re s • Low ON resistance •Very high-speed switching • Low-voltage drive A b so lu te M axim um R atin g s a tT a = 25°C Drain to Source Voltage

2SJ188

Abstract: 2092A
Contextual Info: 2SJ188 2083A LD L o w D rive Series V Dss = 3 0 V 2092A P Channel Power MOSFET 3761A F e a tu re s - Low ON resistance • Very high-speed switching • Low-voltage drive A bsolute M axim um R atin g s at Ta = 25°C Drain to Source Voltage Vdss Gate to Source Voltage

2SJ256

Abstract: ITR00188 ITR00189 ITR00190
Contextual Info: 注文コード No.N 4 2 3 2 2SJ256 三洋半導体ニューズ No. 4 2 3 2 52099 新 2SJ256 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・低電圧駆動。

ITR00362

Abstract: ITR00363 2SJ285 ITR00358 ITR00359 ITR00360 ITR00361
Contextual Info: 注文コード No.N 4 2 2 1 A 2SJ285 No. 4 2 2 1 A 61599 半導体ニューズ No.4221 とさしかえてください。 2SJ285 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。

2SJ189

Contextual Info: Ordering number:EN3762A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ189 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive. Package Dimensions unit:mm 2083B [2SJ189] 2.3 1.5 6.5 5.0 0.5 5.5 7.0 4 1.2 7.5

2SJ188

Contextual Info: Ordering number:EN3761A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ188 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive. Package Dimensions unit:mm 2083B [2SJ188] 2.3 1.5 6.5 5.0 0.5 5.5 7.0 4 1.2 7.5

2SJ190

Contextual Info: Ordering number:EN3763 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ190 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions • Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · Low-voltage drive. unit:mm 2062A [2SJ190] 4.5 1.6 0.4 1.0 2.5 4.25max 1.5 0.5 3