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Carlo Gavazzi Holding AG


Carlo Gavazzi Holding AG SB4N30768D15 CAT. 4 - RES. 30 MM - CASCADE SLAVE
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RS	SB4N30768D15	Bulk			1	1 $7038.55 10 $6723.41 100 $6723.41 1000 $6723.41 10000 $6723.41	Get Quote

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FC108 Abstract: 2SC3395 ITR10398 ITR10399 ITR10400 ITR10401 N3076 Contextual Info: 注文コード No. N 3 0 7 6 FC108 No. N3076 D0500 FC108 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタスイッチング用（バイアス抵抗内蔵）・バイアス抵抗 R1=47kΩ, R2=47kΩ を内蔵。・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。	Original	FC108 N3076 D0500 FC108 2SC3395 ITR10399 ITR10398 ITR10400 ITR10401 2SC3395 ITR10398 ITR10399 ITR10400 ITR10401 N3076	PDF
IN2222A Abstract: transitron catalog TCR43 TM106 IN443 1n9448 sv4091 IN4868 diode 3N68 IN536 Contextual Info: ron Tro nsitron electronic corporation e I ron 168 Albion Street . Wakefield. Massachusetts 01881 WAKEFIELD, MASSACHUSE TTS BOSTON, MASSACHUSETTS MELROSE, MASSACHUSETTS NUEVO LAREDO, MEXICO BERKSHIRE, ENGLAND PARIS, FRANCE AMSTERDAM, THE NETHERLANDS ~ ciectl'onic corpOI'atioll	Original		PDF

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FC108

Abstract: 2SC3395 ITR10398 ITR10399 ITR10400 ITR10401 N3076
Contextual Info: 注文コード No. N 3 0 7 6 FC108 No. N3076 D0500 FC108 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタスイッチング用（バイアス抵抗内蔵）・バイアス抵抗 R1=47kΩ, R2=47kΩ を内蔵。・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。

Original

FC108 N3076 D0500 FC108 2SC3395 ITR10399 ITR10398 ITR10400 ITR10401 2SC3395 ITR10398 ITR10399 ITR10400 ITR10401 N3076

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IN2222A

Abstract: transitron catalog TCR43 TM106 IN443 1n9448 sv4091 IN4868 diode 3N68 IN536
Contextual Info: ron Tro nsitron electronic corporation e I ron 168 Albion Street . Wakefield. Massachusetts 01881 WAKEFIELD, MASSACHUSE TTS BOSTON, MASSACHUSETTS MELROSE, MASSACHUSETTS NUEVO LAREDO, MEXICO BERKSHIRE, ENGLAND PARIS, FRANCE AMSTERDAM, THE NETHERLANDS ~ ciectl'onic corpOI'atioll