SHP32P11250 Search Results

Contextual Info: E2G1059-18-74 O K I Semiconductor This version: Jul. 1998 MSM5716C50/M SM 5718C50/ M D5764802 16M/18Mb 2M x 8/9 & 64Mb (8M x 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 1 6 /1 8 /64-M egabit C oncurrent Ram bus DRAMs (RDRAM ) are extrem ely hi'ghVspeed CMOS DRAMs organized as 2M or 8 M w ords by 8 or 9 bits. They are capable of bursting- linlimi ted

LGA 1156 PIN OUT diagram

Abstract: QSJ-44403 LGA 1150 Socket PIN diagram LGA 1155 Socket PIN diagram IC107-26035-20-G LGA 1151 PIN diagram REFLOW lga socket 1155 IC107-3204-G TB 2929 H alternative LGA 1155 pin diagram
Contextual Info: DIP8-P-300-2.54 5 Package material Lead frame material Pin treatment Package weight g Rev. No./Last Revised Epoxy resin 42 alloy Solder plating (≥5µm) 0.46 TYP. 2/Dec. 11, 1996 DIP14-P-300-2.54 5 Package material Lead frame material Pin treatment Package weight (g)

425M

Abstract: DIP18 DIP20 DIP28 DIP32 DIP40 SOJ28-P-400-1 PGA wire bonding IPGA400-C-S33U-1 PGA240
Contextual Info: 2. 外形寸法図 2. 外形寸法図 2 2-1. パッケージ外形寸法 - 2 2-1-1. パッケージ寸法表示記号 - 2 2-1-2. リード位置許容値について - 3

53MC CONTROLLER

Abstract: RDRAM SOP OKI D51 MD5764802-53MC MD5764802-60MC MSM5718C50-53GS-K MSM5718C50-60GS-K SHP32-P-1125-0 78D SOP
Contextual Info: E2G1059-28-Y1 This version: Nov. 1998 MSM5718C50/MD5764802 Previous version: Jul. 1998 ¡ Semiconductor MSM5718C50/MD5764802 ¡ Semiconductor 18Mb 2M ¥ 9 & 64Mb (8M ¥ 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 18/64-Megabit Concurrent Rambus DRAMs (RDRAM ) are extremely high-speed

SHP32-P-1125-0

Contextual Info: SHP32-P-1125-0.65-K Unit in millimeters typ., unless otherwise specified. Semiconductor Please consult OKI for soldering, assembly and storage recommendations. Specification are subject to change without notice. The drawings do not substitute or replace a product’s datasheet or the Package Information Databook.

MSM5718B60

Abstract: MSM5718B70 bnsb
Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

Contextual Info: SHP32-P-1125-0.65-K Mirror finish 5 パッケージ材質 リードフレーム材質 端子処理方法・材質 パッケージ質量 g 版数/改版日 エポキシ樹脂 42 アロイ 半田メッキ (≥5µm) 0.87 TYP. 3 版/98.11.13

QSJ-50074

Abstract: QSJ-44403 QFJ28-P-S450-1 QSJ-44574 SSOP60-P-700-0 SSOP30-P-56-0 SOP8-P-250-1 QSJ52627 sop44-p-600-1.27-k QFJ20
Contextual Info: 7.包装 7. 包装 7-1. 包装形態 - 2 7-1-1. 通常包装 - 2 7-1-2. 防湿包装 - 3 7-2. 個装仕様 - 4

RDRAM 72

Abstract: RDRAM Clock 1010004 MSM5718B7
Contextual Info: J2G1033-17-64 ¡ 電子デバイス 作成：1998年 1月 MSM5718B70 l 前回作成：1997年 7月 MSM5718B70 18メガビットRDRAM（2Mx9） n 概要 18メガビットRambus‘ DRAM（RDRAM‘）は2Mワード×9ビット構成の超高速CMOS DRAMで最

MSM5718B70

Abstract: MSM5718B7
Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

ANB I AD

Abstract: MD5764802 MD5764802-53GS-K MSM5716C50-53GS-K MSM5716C50-60GS-K MSM5718C50-53GS-K MSM5718C50-60GS-K SHP32-P-1125-0 RDRAM SOP OKI RDRAM 18
Contextual Info: E2G1059-18-74 O K I Semiconductor T his version: Jul. 1998 M S M 5 7 16 C5 0 / M S M 5 7 18 C5 0 / M D 5 7 6 4 8 0 2 _ 16M/18Mb 2M x 8/9 & 64Mb (8M x 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 16/18/64-M egabit C o n cu rre n t R a m b u s D R A M s (R D R A M ) are extrem ely high-speed

RDRAM SOP

Abstract: OKI D51 concurrent rdram MD5764802-53MC MD5764802-60MC MSM5718C50-53GS-K MSM5718C50-60GS-K SHP32-P-1125-0 ACTV m3 OKI D51 a24
Contextual Info: E2G1059-39-21 This version: Feb. 1999 MSM5718C50/MD5764802 Previous version: Nov. 1998 ¡ Semiconductor MSM5718C50/MD5764802 ¡ Semiconductor 18Mb 2M ¥ 9 & 64Mb (8M ¥ 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 18/64-Megabit Concurrent Rambus DRAMs (RDRAM ) are extremely high-speed

SHP32-P-1125-0

Abstract: MSM5718B70 MSM5718B70-50GS-K MSM5718B70-53GS-K MSM5718B70-60GS-K sin ttl RDRAM CONCURRENT MSM5718B7
Contextual Info: ¡ Semiconductor MSM5718B70 ¡ Semiconductor MSM5718B70 E2G1033-17-54 18-Megabit RDRAM 2M ¥ 9 DESCRIPTION The 18-Megabit Rambus DRAM (RDRAM™) is an extremely high-speed CMOS DRAM organized as 2M words by 9 bits. It is capable of bursting up to 256 bytes of data at less than 2 nanoseconds per

IC 50061

Abstract: LFBGA 50-P-400 QFP128-P-1420-0 qfp304 QFP304 tray size QSJ-44440 P-LFBGA84-0909-0 P-LFBGA224-1515-0 SOJ32-P-400-1
Contextual Info: This version: Apr. 2001 Previous version: Jun. 1997 PACKAGE INFORMATION 7. PACKING This document is Chapter 7 of the package information document consisting of 8 chapters in total. PACKAGE INFORMATION 7. PACKING 7. PACKING 7.1 Packing Type 7.1.1 Ordinary Packing

QSJ52627

Abstract: B375A QSJ-50345 040E-6 QSJ-44403 QFJ68-P-S950 1890A QSJ-52628
Contextual Info: 作成： 前回作成： 2001 年 4 月 1998 年 7 月 パッケージインフォメーション 第 7 章 包装 本文書は全 8 章にて構成されるパッケージインフォメーションドキュメントの第 7 章部分とな ります。

DIP24-P-600-2

Abstract: oki qfp tray SEPT24
Contextual Info: Package Overview I Type Typical Sample Semiconductor Pin Counts Pitches [mm] OKI Suffix DIP Dual-in-line Package 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 28, 32, 36, 40, 42, 48 2.54 RA SDIP (Shrink Dual-in-line Package) 30, 42, 64 1.778 ZIP (Zig-Zag In-line Package) 20, 24, 28, 40

RDRAM SOP

Abstract: rdram clock generator concurrent RDRAM 72 RDRAM concurrent
Contextual Info: E2G1059-28-Y1 O K I Semiconductor M S M 5 7 1 8 C 5 / M P 5 7 Previous version: Jul. 1998 6 4 8 2 ~ 18Mb 2M x 9 & 64Mb (8M x 8) Concurrent RDRAM DESCRIPTION The 18/64-M egabit Concurrent Rambus DRAMs (RDRAM ) are extremely high-speed CMOS DRAMs organized as 2M or 8 M words by 8 or 9 bits. They are capable of bursting unlimited

concurrent RDRAM 72 9

Abstract: MD5764802 MSM5718C50 18MSHP concurrent RDRAM 72
Contextual Info: J2G1059-39-21 ¡ 電子デバイス 作成：1999年 2月 前回作成：1998年11月 MSM5718C50/MD5764802 l MSM5718C50/MD5764802 18Mb（2Mx9）& 64Mb（8M×8）Concurrent RDRAM n 概要 18/64メガビットコンカレントRambus‘ DRAM（RDRAM）は2Mまたは8Mワード×8または9ビット構

3360D

Abstract: 800A 711 TQFP64-P-1010-0 QSJ-44440 44568 DIP18 DIP20 DIP28 DIP32 SDIP30
Contextual Info: 7.包装 7. 包装 7-1. 包装形態 - 2 7-1-1. 通常包装 - 2 7-1-2. 防湿包装 - 3 7-2. 個装仕様 - 4

TSOP 173 g

Abstract: TSOP 056 P150 P151 SSOP20 SSOP30 SSOP32 TSOPI32-P-814-0 JU-11T QFP304
Contextual Info: 4. 表面実装型パッケージ（SMD） の実装における参考情報 4. 表面実装型パッケージ（SMD）の実装 における参考情報 4-1. フットパターン - 4 4-1-1. フットパターンの設計方法 - 4

sac 326

Abstract: tsop 138 6-tsop PGA133-C-S14D-2 PGA240 PBGA352 35 G43-87 G38-96 DIP18-P-300-2 TSOP 48 thermal resistance
Contextual Info: 5. パッケージの熱抵抗 5. パッケージの熱抵抗 5-1. 熱抵抗概要 - 2 5-2. 熱抵抗一覧 - 5 5 1 5. パッケージの熱抵抗 5-1. 熱抵抗概要

SHP32-P-1125-0

Contextual Info: SHP32-P-1125-0.65-K Mirror finish 5 Package material Lead frame material Pin treatment Package weight g Rev. No./Last Revised Epoxy resin 42 alloy Solder plating (≥5µm) 0.87 TYP. 3/Nov. 13, 1998

OKI part numbering guide

Abstract: MSM5718B70 MSM5718B70-50GS-K MSM5718B70-53GS-K MSM5718B70-60GS-K SHP32-P-1125-0 OKI RDRAM
Contextual Info: O K I Semiconductor MSM5718B70 E 2 G 1 0 3 3 - 1 7 -5 4 18-Megabit RDRAM 2M x 9 DESCRIPTION The 18-Megabit Rambus DRAM (RDRAM™) is an extremely high-speed CMOS DRAM organized as 2M w ords by 9 bits. It is capable of bursting u p to 256 bytes of data at less than 2 nanoseconds per

OKI D51 a24

Abstract: OKI D51 MD5764802 MSM5718C50 MD5764802-53MC 141oC concurrent rdram concurrent RDRAM 72 9 13c64 concurrent rdram oki
Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株