DO-213AB
Abstract: No abstract text available
Text: ZMY 1…ZMY 200 1.3 W Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1.3 W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case MELF
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Original
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DO-213AB
UL94V-0
DO-213AB
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zy 500
Abstract: DO-204AL zy zener zy 6.2
Text: ZY 1…ZY 200 2 W Silicon-Power-Z-Diodes Silizium-Leistungs-Z-Dioden Nominal Zener voltage Nominale Zener-Spannung Ø 2.6 max 1…200 V Standard tolerance of Zener voltage Standard-Toleranz der Zener Spannung ± 5 % (E24) Plastic case – Kunststoffgehäuse
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Original
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DO-41
DO-204AL)
UL94V-0
zy 500
DO-204AL
zy zener
zy 6.2
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SEMIKRON ZENER DIODE
Abstract: No abstract text available
Text: SMZ 1 … SMZ 200 2 W Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage 2W 0.5 Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF Dimensions / Maße in mm
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Original
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DO-213AB
UL94V-0
SEMIKRON ZENER DIODE
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Zener diode ZPY 18
Abstract: Zener diode ZPY 75 Zener diode ZPY 51 Zener diode ZPY 39 Zener diode ZPY 30 Zener diode ZPY 16 Zener diode ZPY 82 Zener diode ZPY 36 Zener diode ZPY 10 Zener diode ZPY 12
Text: ZPY 1…ZPY 200 1.3 W Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Z-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1.3 W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case Kunststoffgehäuse
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Original
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DO-41
DO-204AL
UL94V-0
Zener-Sp100)
Zener diode ZPY 18
Zener diode ZPY 75
Zener diode ZPY 51
Zener diode ZPY 39
Zener diode ZPY 30
Zener diode ZPY 16
Zener diode ZPY 82
Zener diode ZPY 36
Zener diode ZPY 10
Zener diode ZPY 12
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Z2SMB 1 … Z2SMB 200 2 W Surface mount Silicon Power Zener Diodes Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 2.2 2.1 ± 0.1 ± 0.2 5.4 ± 0.2 0.15 Type Typ 2W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case Kunststoffgehäuse 1…200 V ~ SMB
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Original
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DO-214AA
UL94V-0
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C47A
Abstract: MARKING W16 SOT23 W16 sot 23 C22A C20A C10A C11A C12A C15A C16A
Text: 2BZX84 C3V0A . 2BZX84 C47A Dual Surface Mount Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Common Anode Gemeinsame Anode Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1 1.3 ±0.1 3 2.5 max 0.4 VZ for both diodes in one case
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Original
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2BZX84
OT-23
O-236)
C47A
MARKING W16 SOT23
W16 sot 23
C22A
C20A
C10A
C11A
C12A
C15A
C16A
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ZMM11B
Abstract: ZMM20B ZMM36B DO-213AA ZMM10B ZMM12B ZMM13B ZMM15B ZMM16B ZMM18B
Text: ZMM3B9 . ZMM75B 500 mW - 2% ZMM3B9 . ZMM75B (500 mW - 2%) Surface mount Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2007-07-06 0.3 0.3 Type Typ 3.5 ±0.1 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung
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Original
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ZMM75B
OD-80
DO-213AA)
ZMM75B
ZMM36B
ZMM39B
ZMM43B
ZMM47B
ZMM51B
ZMM11B
ZMM20B
ZMM36B
DO-213AA
ZMM10B
ZMM12B
ZMM13B
ZMM15B
ZMM16B
ZMM18B
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VZ 9G
Abstract: DO-213AB ZMY10 ZMY11 ZMY12 ZMY13 ZMY15 ZMY16 ZMY200
Text: ZMY3.0G . ZMY9.1G 1.0 W , ZMY1, ZMY10 . ZMY200 (1.3 W) ZMY3.0G . ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 . ZMY200 (1.3 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-27 ZMY. non-planar 3.0.9.1 V Glass case – Glasgehäuse MELF
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Original
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ZMY10
ZMY200
DO-213AB
UL94V-0
ZMY91
VZ 9G
DO-213AB
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY200
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Z3SMC10
Abstract: Z3SMC11 Z3SMC12 Z3SMC13 Z3SMC15 Z3SMC16 Z3SMC200 zenerspannung
Text: Z3SMC1 . Z3SMC200 3 W Z3SMC1 . Z3SMC200 (3 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-24 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung ±0.2 2.2±0.2
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Original
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Z3SMC200
DO-214AB
UL94V-0
Z3SMC100
Z3SMC110
Z3SMC120
Z3SMC130
Z3SMC150
Z3SMC160
Z3SMC10
Z3SMC11
Z3SMC12
Z3SMC13
Z3SMC15
Z3SMC16
Z3SMC200
zenerspannung
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bts 425 l1
Abstract: ANPS039D PROFET TO-220SMD BTS550 BTS412A bts740 BTS432E2 BTS 740 s2 PROFET 60V 11A
Text: HL application note Dr. Alfons Graf Siemens AG, HL PS TM Hannes Estl Siemens AG, HL PS TM2 Sicherungsersatz mit PROFET Highside Leistungsschaltern Zusammenfassung: Die ursprünglich zum Selbstschutz in Smart Leistungsschalter integrierten Schutzfunktionen
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Original
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de/Semiconductor/products/36/pdf/baba96a
de/Semiconductor/products/36/pdf/hdt
de/Semiconductor/products/36/pdf/hdt972e
Anps039d
bts 425 l1
PROFET
TO-220SMD
BTS550
BTS412A
bts740
BTS432E2
BTS 740 s2
PROFET 60V 11A
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zener die diode
Abstract: No abstract text available
Text: Z3SMC 1 … Z3SMC 200 3 W Surface mount Silicon Power Zener Diodes Silizium-Leistungs-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 3W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case Kunststoffgehäuse
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Original
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DO-214AB
UL94V-0
zener die diode
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zener diode zpd 6
Abstract: No abstract text available
Text: ZPD2B7 . ZPD47B 500 mW / ±2% ZPD2B7 . ZPD47B (500 mW / ±2%) Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener-Dioden Version 2006-12-01 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 3.9 62.5 Ø 1.9 500 mW Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung
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Original
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ZPD47B
DO-35
OD-27)
ZPD47B
ZPD30B
ZPD33B
ZPD36B
ZPD39B
ZPD43B
zener diode zpd 6
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DO-204AL
Abstract: ZPY10 ZPY11 ZPY12 ZPY13 ZPY15 ZPY200
Text: ZPY10 2% . ZPY200 2% 1.3 W ZPY10 2% . ZPY200 2% (1.3 W) Silicon Power Z-Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Z-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Version 2006-06-08 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung -0.1 -0.1 5.1 Type
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Original
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ZPY10
ZPY200
DO-41
DO-204AL)
UL94V-0
ZPY100
ZPY110
ZPY120
DO-204AL
ZPY11
ZPY12
ZPY13
ZPY15
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3EZ10
Abstract: 3EZ11 3EZ12 3EZ13 3EZ15 3EZ200 DO-204AC
Text: 3EZ1 . 3EZ200 3 W 3EZ1 . 3EZ200 (3 W) Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Version 2008-08-14 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung ±0.05 Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung
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Original
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3EZ200
DO-15
DO-204AC
UL94V-0
voltag31
3EZ100
3EZ110
3EZ120
3EZ130
3EZ10
3EZ11
3EZ12
3EZ13
3EZ15
3EZ200
DO-204AC
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DO-213AA
Abstract: ZMD10 ZMD100 ZMD11 ZMD12 ZMD13 ZMD15 ZMD16
Text: ZMD1 . ZMD100 1 W ZMD1 . ZMD100 (1 W) Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-07 0.4 3.5 0.4 1.6 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung Dimensions - Maße [mm]
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Original
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ZMD100
DO-213AA
UL94V-0
ZMD51
ZMD56
ZMD62
ZMD68
ZMD75
ZMD82
DO-213AA
ZMD10
ZMD100
ZMD11
ZMD12
ZMD13
ZMD15
ZMD16
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VZ 9G
Abstract: DO-213AB ZMY10 ZMY11 ZMY12 ZMY13 ZMY15 ZMY16 ZMY200
Text: ZMY3.0G . ZMY9.1G 1.0 W , ZMY1, ZMY10 . ZMY200 (1.3 W) ZMY3.0G . ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 . ZMY200 (1.3 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2008-04-17 ZMY3.0G . ZMY9.1G ZMY. non-planar
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Original
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ZMY10
ZMY200
DO-213AB
UL94V-0
ZMY100
VZ 9G
DO-213AB
ZMY10
ZMY11
ZMY12
ZMY13
ZMY15
ZMY16
ZMY200
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transistors EB202
Abstract: EB202 transistor EB202 EB202 transistor TL7726 Texas Germanium
Text: EB202 Spannungsbegrenzer EB202 SPANNUNGSBEGRENZERSCHALTUNG TL7726 Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 17.01.1992 Rev.: * Überarbeitet 13.01.1995 Texas Instruments 1 Applikationslabor EB202 Spannungsbegrenzer In vielen Anwendungen läßt es sich nicht verhindern, Halbleiterbauelemente in
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Original
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EB202
TL7726
TL7726
transistors EB202
EB202
transistor EB202
EB202 transistor
Texas Germanium
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C4722
Abstract: 710 zener MM3Z47 c20 zener iz 289
Text: MM3Z2V4 . MM3Z47 200 mW MM3Z2V4 . MM3Z47 (200 mW) Surface mount Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2011-09-29 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1.7±0.1 1±0.1 Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
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Original
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MM3Z47
OD-323
UL94V-0
C4722
710 zener
MM3Z47
c20 zener
iz 289
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zener 472
Abstract: DO-213AA
Text: ZMM 3.9-2% … ZMM 100-2% 500 mW Surface mount Silicon Planar Zener Diodes 0.3±0.1 Type 3.5 ±0.1 0.3 ±0.1 1.45 Dimensions / Maße in mm Silizium-Planar-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 500 mW
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Original
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OD-80
DO-213AA
zener 472
DO-213AA
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NXL0840,412
Abstract: ZMC10B
Text: ZMC3B9 . ZMM75B 500 mW - 2% ZMC3B9 . ZMM75B (500 mW - 2%) Surface mount Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2012-05-22 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 500 mW 1.25 Nominal Z-voltage
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Original
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ZMM75B
LS-31)
ZMC75B
NXL0840,412
ZMC10B
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Z2SMB-12
Abstract: No abstract text available
Text: Z2SMB1 . Z2SMB200 2 W Z2SMB1 . Z2SMB200 (2 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2012-09-04 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung ± 0.5 2.2± 0.2 2.1± 0.1 5.4 0.15 Type Typ Nominal Z-voltage
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Original
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Z2SMB200
UL94V-0
DO-214AA
Z2SMB-12
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TRANSISTOR 132-gd
Abstract: TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes
Text: Vergleichsliste Halbleiter Bauelemente In h a lt: Einleitung Typenbezeichnung und Form elzeichen G e g e n ü b e r s t e ll u n g n a c h A l p h a b e t : T ransistoren G leichrichterdioden Leistungs-Zenerdioden V e rg le ic h nach T y p e n g ru p p e n
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06o3H
TRANSISTOR 132-gd
TRANSISTORS 132 GD
equivalent io transistor 131-G
bbc ds diodes DS 1,8
transistor vergleichsliste
aeg diode Si 61 L
AF124
Transistor Vergleichsliste DDR
OC1044
bbc ds diodes
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keramische Werke Hermsdorf
Abstract: Mischstufen VEB Keramische Werke OA741 OA645 OA625 hermsdorf OA665 neue halbleiterbauelemente Amateur
Text: HalbleiterBauelemente Dioden Germanium dioden Type Durchlaß spannung U a k IVI Durchlaß strom Sperr spannung lA K l m A l U k a |V| Sperrstrom IKA li'AI max. zuläss. Sperr spannung jEä max. zuass. Durchlaß strom UKAma* IVI ^AKmax !mAl Bau
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relais datenbuch siemens
Abstract: siemens datenbuch triac zu 103 ma BSS97 diode sg 5 ts Scans-048 BUZ23 s489 DSAGER00059 Transistor Datenbuch
Text: SIEMENS SIPMOS Kleinsignaltransistoren Technische Beschreibung Ausgabe September 1986 Inh alt 1. Einleitung 5 2. Technologie 5 3. Schaltverhalten 6 4. D atenblattangaben 8 4.1 4.2 4.3 Drainstrom lD Gate-Schwellenspannung VGS th Temperaturabhängigkeit 8 8
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BRT12H
BRT12M
relais datenbuch siemens
siemens datenbuch
triac zu 103 ma
BSS97
diode sg 5 ts
Scans-048
BUZ23
s489
DSAGER00059
Transistor Datenbuch
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