ARSZ Search Results

Contextual Info: ARZ/ARSZ5024G-ARZ/ARSZ5040G 50AMP Automotive Button Diodes 特征 FEATURES .大电流承受能力.High current capability .低成本.Low cost .扩散烧结. Diffused junction .正向压降低.Low forward voltage drop .低漏电. Low leakage current .高浪涌承受能力.High surge current capability

MIL-STD-750

Contextual Info: ARZ/ARSZ2524G-ARZ/ARSZ2540G 25AMP Automotive Button Glass Passivation Diodes 特征 FEATURES .大电流承受能力.High current capability .低成本.Low cost .扩散烧结. Diffused junction .正向压降低.Low forward voltage drop .低漏电. Low leakage current

Contextual Info: ARZ/ARSZ5024-ARZ/ARSZ5040 50AMP Automotive Button Diodes 特征 FEATURES .大电流承受能力.High current capability .低成本.Low cost .扩散烧结. Diffused junction .正向压降低.Low forward voltage drop .低漏电. Low leakage current .高浪涌承受能力.High surge current capability

Contextual Info: ARZ/ARSZ3524-ARZ/ARSZ3540 35AMP Automotive Button Diodes 特征 FEATURES .大电流承受能力.High current capability .低成本.Low cost .扩散烧结. Diffused junction .正向压降低.Low forward voltage drop .低漏电. Low leakage current .高浪涌承受能力.High surge current capability

Contextual Info: ARZ/ARSZ2524-ARZ/ARSZ2540 25AMP Automotive Button Diodes 特征 FEATURES .大电流承受能力.High current capability .低成本.Low cost .扩散烧结. Diffused junction .正向压降低.Low forward voltage drop .低漏电. Low leakage current .高浪涌承受能力.High surge current capability

ARSZ

Contextual Info: ARZ/ARSZ3524G-ARZ/ARSZ3540G 35AMP Automotive Button Glass Passivation Diodes 特征 FEATURES .大电流承受能力.High current capability .低成本.Low cost .扩散烧结. Diffused junction .正向压降低.Low forward voltage drop .低漏电. Low leakage current

str f 6456

Abstract: str x 6456 SM 5126 BP STR F 6168 str 6668 STR G 6352 STR 6456 str f 6468 321 CJ 7121 AXP 209 IC
Contextual Info: Tem ic Se ni i co n fi li c t ci Sales Offices rs Addresses Europe France TE M IC France Les Q uadrants 3. avenue du centre B.P. 309 78054 S t.-Q uentin-en-Y veL nes Cedex Tel: 33 I 3060 7000 F a x :33 I 3060 V 11 i Germany TE M IC TE LEFU N K EN m icroelectronic G m bH

eurosil

Abstract: ic tda 6108 tda 9351 SE116 BH 37 933 Eurosil Electronic tfk 635 EL131 TDA 785 LA
Contextual Info: Te m ic TELEFUN KEN Semiconductors Addresses Sales Offices Europe Hungary Sweden T E M IC D a n sk T EM 1C T E L E FU N K E N T E M IC T E L E F U N K E N T E M IC N o rd ic A B c /o A E G D a n s k A k tie s e ls k a b m ic ro e le c tro n ic ìm h H K r u p p s tr a s s e 6

TDA 7277

Abstract: TDA 8345 TDA 7988 tda 9580 TDA 8344 TDA 9394 TDA 8659 AN tda 8945 j tda 7840 ic tda 9361
Contextual Info: Tem ic S e m i c o n d u c t o r s Addresses Europe France T E M IC F rance L es Q u a d ra n ts 3. av en u e du centre B.P. 309 7 8 0 5 4 S t.-Q u e n tin -e n -Y v e lin e s C ed ex Tel: 33 1 3 0 6 0 7 0 0 0 Fax: 33 1 3 0 6 0 7111 Germany T E M IC T E L E F U N K E N

sim 300 gsm module VR 0511

Abstract: nf schaltungen PEB 3164 pdsp 2113 halbleiter datenbuch star delta timer siemens siemens cpu 216-2 Siemens Optoelectronic ITT Semiconductors siemens fl 232 v7
Contextual Info: SIEMENS ICs for Communications DSP Oriented PBX Controller DOC PEB 20560 Version 2.1 Contents Overview Functional Block Description Operational Description DSP Core OAK Description of Registers Applications Electrical Characteristics Ordering Information and Mechanical Data

IC CD 4440 pin diagram

Abstract: Ic LA 4440 amplifier circuit diagram C505C SAB-C513A Switch ITV table up-down C513AO C513AO-2E AL p06 smd transistor
Contextual Info: Data Sheet, February 2000 C513AO 8 -Bit CMOS Mi c r0 c 0 nt r0 I Microcontrollers .• — IN FN S00492 N e v e r s t o p Infineon technologies t h i n k i n g C513AO Data Sheet Revision History : Current Version: 02.00 Previous Releases: Original Version

BB105

Abstract: BB105A bb105g WARIKAP diody SOD-23 PD2824 ce37 ma373 BB105A/B
Contextual Info: WARIKAP ¥ BB105A, BB105G SWW 1156-151 D iody k rz em o w e e p ip la n a rn e o z m ien n ej pojem n o sci p rz ez n ac zo n e do p ra c y w u k la d z ie glow icy U H F w o d b io rn ik a c h tele w iz y jn y c h i rad io w y ch . 1 3 tf m a x 0,5 max2,5

BAYP

Abstract: BAYP95 BAYP94 BAYP95A dioda BAYP94A BAYP-95
Contextual Info: 12- 74/2 DIODY IMPULSOWE * BAYP94, BAYP94A, BAYP95, BAYP95A SWW 1156-131 Diody krzem ow e epiplanarne przeznaczone do stosow ania w ukladach im pulsow ych i przelqczajqcych o b ardzo duzej szybkosci oraz innych zastosow aniach profesjonalnych. P aram etry dynam iczne; t amb = 298 K 25°C

BXYP14

Contextual Info: 16-74/2 WARAKTOR BXYP14 SWW 1156-183 W araktor m a dyfuzyjne zl^cze p -n , ktör'ego pojemno£6 zm ienia si§ w zaleznoSci od przylozonego napi^cia. Jest on przeznaczony do pracy w m ikrofalow ych w zm acniaczach param etrycznych jako elem ent czynny. O budowa w -araktora je st ceraimiczno-metalowa.

BC177, BC178, BC179

Abstract: BC179 BC178 BC118 BC177 BC111 BC7f tranzystor BC107 BC108
Contextual Info: 4 - 74/2 T R A N Z Y S T O R Y p-n-p * BC177, BC178 i BC179 SWW 1156-211 T ra n z y sto ry k rz em o w e e p ip la n a rn e m ale j m ocy m alej czçstotliw osci. T ra n z y sto ry BC177 i BC178 p rzeznaczone do stosow an ia w p rz ed w z m ac n iac za ch m ale j czçsto tliw o sci i sto p n iac h ste ru j^ cy c h .

BAP814

Abstract: dioda 26 cemi
Contextual Info: DIODA STABILIZACYJNA * BAP814 3 - 74/2 SWW 1156-141 Dioda krzem ow a dyfuzyjna m alej mocy jest przeznaczona do stabdlizacji niskich napiçé. DANE TECHNICZNE Dopuszczalne w artosci p aram etró w eksploatacyjnych P r^ d przew odzenia Zakres tem p eratu ry

BYP660-100R

Abstract: BYP660-700R BYP660-300R BYP660 BYP660-50R BYP660-500 BYP660 dioda BYP660-300 BYP660-500R BYP660-700
Contextual Info: DIODA PROSTOWNICZA BYP660 R 23'74/2 SWW 1156-112 D ioda krzem ow a dyfu zyjn a je st przeznaczona g!6w n ie do stosow ania w ukladach prostow niczych m alej i Sredniej m ocy. A noda diody jest pol^czona galw aniczn ie z obudow g, co zakodow ane jest lite r s ,R” na koncu oznaczenia typu diody np.: BYP660— 7O0R.

Katalog CEMI

Abstract: OA81 diode byp 660-50r Philips BC147 p 181 transoptor Mullard oa81 Hitachi 12V MS 5A-181 OA81 BA102 diode telefunken hr 780 rds
Contextual Info: WSTIJP W ydaw nictw a Przem yslu M aszynowego WEMA przekazujq uzytkow nikom branzow y katalog pt. E l e m e n t y pólp rz e w o d n i k o w e , zaw ierajqcy dokladne inform acje techniczne dotycz^ce elem entów pólprzew odnikow ych produkow anych w Polsce n a skal^ przem yslow ^. W szystkie w yroby

AAP 155 dioda germanowa

Abstract: AAP155 dioda
Contextual Info: 4 - 74/1 DIODA UNIWERSALNA AAP155 SWW 1156-121 Dioda germ anow a ostrzow a AAP155 jest przeznaczona do stosow ania glównie w ukladach detekcyjnych i pom iarowych. DANE TECHNICZNE Dopuszczalne w artosci param etrów eksploatacyjnych N apiçcie w steczne Szczytowe napiçcie

5v ZENER DIODE

Contextual Info: 21-74/2 WARAKTOR BXYP5X SWW 1156-185 W araktor wykonany z krzemu m a dyfuzyjne zlqcze p-n, ktörego pojemno6<5 zmienia si? pod wplywem przylozonego napi^cia. Jest on przeznaczony do pracy w mikrofalowych powielaczach cz^stotliwoSci w zakresie pasm a X. Obudowa w araktora jest ceramiczno-metalowa.

Katalog CEMI

Abstract: uca64121 UCA6400 UL1405 UL1211 UCY7400N UL1490N elektor SESCOSEM ul1402l
Contextual Info: W iadom osci ogólne WSTIJP W y d aw n ic tw a P rz e m y s lu M aszynow ego W EM A p rz e k a zujq u z y tk o w n ik o m k a ta lo g b ra n z o w y pt. P rzy rz q d y p ó lp rz e w o d n ik o w e , z a w ie ra j^ c y d o k lad n e in fo rm a c je te c h nicze dotycz^ce p rz y rz q d ó w p ó lp rze w o d n ik o w y c h p ro d u k o w a n y ch w P o lsce n a sk al$ przem y slo w ^ .

sample code read and write flash memory spansion

Abstract: 0x00000088 AN2867 MPC56xx MPC56xxS sample code write buffer spansion MPC560xS MPC5500 PF10 ARSZ
Contextual Info: Freescale Semiconductor Application Note Document Number: AN4186 Rev. 0, 09/2010 Using the QuadSPI Module on MPC56xxS by: Daniel McKenna Microcontroller Solutions Group East Kilbride Scotland 1 Introduction This application note will discuss the QuadSPI module on the

4511 gm

Abstract: TTC 5200 ir 8707 nte 6250 76722 8840 TIC 1260 stoneridge se 5000 x4202 STR G 6352 SG 3425 N
Contextual Info: ülmEE Distributors W I R E L E S S 4 fiC Europe Austria SPO ERL E ELE C TR O N IC Am K ehlerpark 1 6850 D ornbirn Tel: 43 5572 38 65 0 0 -0 Fax: 43 5572 38 65 0 0 -9 0 A rrow D enm ark A/S S m edeholm 13 A 2730 Herlev Tel: 45 44 50 82 00 Fax: 45 44 50 82 03

BUZ MOSFET

Abstract: mosfet BUZ 326 BUZ MOSFET 334 spd14n05 mosfet BUZ 349 mosfet buz 90a BUZ 100 MOSFET bup202 BUZ MOSFET 102s BUZ MOSFET 111S
Contextual Info: SIEMENS Power Semiconductors MOS Transistors IGBTs Duo-Packs FREDs U ♦ BS 107 200 26.00 0.8. 2.0 0.13 TO-92 BSS 192 -240 20.00 -2.0. .-0.8 BS 170 60 5.00 0.8. 2.0 0.30 TO-92 BSS 229 250 100.00 -1.8. .-0.7 0.07 TO-92 BSO 307N 30 0.075 1.2. 2.0 4.2 SO-8