BPX 28 Search Results

BPX osram

Abstract: GEOY6638 Q62702-P17-S1 Q62702-P305 BPX 48
Contextual Info: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit

Q62702-P47

Abstract: Q62702-P928
Contextual Info: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90 und bei 950 nm (BPX 90 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Q62702-P17-S1

Abstract: Q62702-P305 BPX48 diode bzw 06 BPX 48
Contextual Info: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

BPX osram

Abstract: 1000-LX GEOY6014 Q62702-P47 Q62702-P928
Contextual Info: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90 und bei 950 nm (BPX 90 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

foto sensor

Abstract: BPX66 Q62702-P27 Q62702-P80 VL320 41870
Contextual Info: BPX 65 BPX 66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

bpy 79

Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
Contextual Info: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2

Q62702-P47

Abstract: Q62702-P928
Contextual Info: BPX 90 BPX 90 F BPX 90 BPX 90 F feof6014 feo06014 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 90

foto sensor

Abstract: BPX-65 foto transistor Q62702-P80 Q62702-P27
Contextual Info: BPX 65 BPX 66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

Q62702-P17-S1 equivalent

Abstract: Q62702-P305 Q62702-P17-S1 BPX48
Contextual Info: BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F feof6638 feo06638 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im

A950 O

Abstract: BPX90 F
Contextual Info: SIEMENS BPX 90 BPX 90F DAYLIGHT FILTER Silicon Planar Photodiode BPX 90 FEATURES • Especially suitable for applications - BPX 90:400nm to 1100 nm - BPX90 F: 950 nm • High photosensitivity • DIL plastic package with high packing den­ sity APPLICATIONS

bpx65r

Abstract: photodetector bpx65 photodiode BPX65 BPX-65B BPX-65R 820nM BPX-65 AX65-R2F AX65R2F
Contextual Info: High Speed Photodiodes BPX-65 Series The BPX-65 is a high speed, high quality silicon photodetector which is manufactured in large quantity and offers an excellent price-to-performance ratio. Its high frequency response, sensitivity and low cost make the BPX-65 suitable for applications including

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

Contextual Info: BPX 90 BPX 90F SIEMENS DAYLIGHT FILTER Silicon Planar Photodiode D im ensions in inch e s m m .212(5.4) .193(4,9) 177 (4.5) .090(2.3) 07912.(5) C hip position .024 (.6) .016 (.4) FEATURES • Especially suitable for applications - BPX 90: 400nm to 1100 nm

Contextual Info: BPX 48 BPX 48F SIEMENS DAYLIGHT FILTER Silicon Differential Photodiode Dimensions in inches mm .159(4.05) I .147 (3.75) I H 0e to 5° Cathode uauiuub / ?4 _ noR Lead spacing n 6 2) ~ T .096 (2.45) idre" DESCRIPTION The differential photodiode BPX 48 is designed for special industrial electronic

RADIALL CONTACT 620 600 257

Abstract: Radiall arinc 620 600 Radiall arinc 620 800 066 Radiall 620 600 238 311601 coax FILOTEX METAL BRAID radiall 617 610 connector ABS1503KD24 Adams-Russell FC cable awg Radiall arinc 600 NSX
Contextual Info: NSX ARINC 600 INTRODUCTION MULTICONTACT CONNECTORS NSX- ARINC 600 / BPX NSX series defined by ARINC 600 specification and BPX series (defined by Bœing S280W551 specification) are multipin rack and panel connectors used to connect high performance aeronautical equipments.

phototransistor 650 nm

Abstract: foto transistor Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 BPX 38
Contextual Info: BPX 38 BPX 38 fmo06018 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm

Q62702-P55

Abstract: BPX63
Contextual Info: BPX 63 BPX 63 fet06012 Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im

foto sensor

Abstract: BPX65 GET06013 Q62702-P27 bpx 65
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 , geeignet bis 125 oC1) Features

foto sensor

Abstract: tci 571 GETY6013 Q62702-P27 BPX-65
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 , geeignet bis 125 oC1) Features

Q62702-P54

Contextual Info: BPX 60 BPX 60 fmo06011 Silizium-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon Photodiode with Enhanced Blue Sensitive Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im

Q62702-P51

Contextual Info: BPX 79 BPX 79 fso06631 Silizium-Fotoelement mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon Photovoltaic Cell with Enhanced Blue Sensitivity Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

BPX osram

Abstract: BPX-65 tci 571 GETY6013 OHLY0598 Q62702P0027
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

BPX61

Abstract: Q62702-P25
Contextual Info: BPX 61 BPX 61 fmo06011 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit typ. 20 ns