86886
Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001
Contextual Info: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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CPH5846
EN8688
MCH3309)
SS10015M)
86886
diode sy 710
mch5846
CPH5846
MCH3309
SS10015M
ss-1001
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PDF
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SCH1310
Abstract: A0155
Contextual Info: SCH1310 注文コード No. N A 0 1 5 5 三洋半導体データシート N SCH1310 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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SCH1310
900mm2
IT02737
--10V
900mm2
IT10065
IT10061
A0155-3/4
SCH1310
A0155
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a 69104
Abstract: 69104 MCH3309
Contextual Info: Ordering number : ENN6910 MCH3309 P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2167 [MCH3309] 0.25 • 0.3 0.15 2
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Original
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ENN6910
MCH3309
MCH3309]
a 69104
69104
MCH3309
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PDF
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CPH5807
Abstract: MCH3309 SBS004
Contextual Info: CPH5807 Ordering number : EN7751B CPH5807 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in
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Original
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CPH5807
EN7751B
MCH3309)
SBS004)
CPH5807
MCH3309
SBS004
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PDF
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CPH5835
Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
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Original
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CPH5835
MCH3309)
SBS010M)
600mm2
12805PE
TB-00001006
IT05882
IT05881
CPH5835
MCH3309
MCH5835
SBS010M
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PDF
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a 69104
Abstract: 69104 TA-3058 MCH3309
Contextual Info: Ordering number : ENN6910 MCH3309 P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2167 [MCH3309] 0.25 • 0.3 0.15 2
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Original
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ENN6910
MCH3309
MCH3309]
PW10s,
a 69104
69104
TA-3058
MCH3309
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SCH1310
Contextual Info: SCH1310 Ordering number : ENA0155 P-Channel Silicon MOSFET SCH1310 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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SCH1310
ENA0155
900mm2
A0155-4/4
SCH1310
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PDF
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CPH5857
Contextual Info: CPH5857 Ordering number : ENA0547 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5857 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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CPH5857
ENA0547
A0547-6/6
CPH5857
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PDF
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MCH5846
Abstract: SS10015M CPH5846 MCH3309
Contextual Info: CPH5846 注文コード No. N 8 6 8 8 三洋半導体データシート N CPH5846 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
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Original
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CPH5846
MCH3309)
SS10015M)
900mm2
N0106PE
TC-00000270
IT07150
IT07152
MCH5846
SS10015M
CPH5846
MCH3309
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PDF
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82074
Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
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Original
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CPH5835
MCH3309)
SBS010M)
600mm2
12805PE
TB-00001006
IT05882
IT05881
82074
CPH5835
MCH3309
MCH5835
SBS010M
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CPH5807
Abstract: MCH3309 SBS004
Contextual Info: CPH5807 Ordering number : ENN7751 CPH5807 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in
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Original
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CPH5807
ENN7751
MCH3309)
SBS004)
CPH5807
MCH3309
SBS004
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PDF
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CPH5857
Abstract: Id003
Contextual Info: CPH5857 注文コード No. N A 0 5 4 7 三洋半導体データシート N CPH5857 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ
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Original
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CPH5857
900mm2
D2006PE
TC-00000405
A0547-1/6
IT11207
IT11206
IT11208
CPH5857
Id003
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PDF
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CPH5807
Abstract: D2005 MCH3309 SBS004
Contextual Info: CPH5807 注文コード No. N 7 7 5 1 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7751A とさしかえてください。 CPH5807 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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CPH5807
N7751A
MCH3309)
SBS004
600mm2
D2005
TB-00001994
D1504PE
TA-100107
CPH5807
MCH3309
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PDF
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CPH3309
Abstract: CPH5835 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 Ordering number : ENN8207 CPH5835 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET CPH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained
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Original
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CPH5835
ENN8207
CPH3309)
SBS010M)
CPH3309
CPH5835
MCH5835
SBS010M
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PDF
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