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MCH6635 Contextual Info: MCH6635 注文コード No. N 8 2 1 7 A 三洋半導体データシート半導体ニューズ No.N8217 をさしかえてください。 MCH6635 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長	Original	MCH6635 N8217 900mm2 400mA 400mA, 200mA, 900mm2 IT09190 IT09191 MCH6635	PDF
CPH5810 Abstract: MCH3312 Contextual Info: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5810 汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）	Original	CPH5810 MCH3312 SBS001 600mm2 12805PE TA-100105 IT09167 IT09166 CPH5810 MCH3312	PDF
CPH5831 Abstract: MCH3406 SBS010M cph58 Contextual Info: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用	Original	CPH5831 MCH3406) SBS010M 600mm2 12805PE TA-100797 IT08545 IT00625 CPH5831 MCH3406 cph58	PDF
MCH6635 Contextual Info: MCH6635 Ordering number : EN8217A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6635 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing high-density mounting.	Original	MCH6635 EN8217A 900mm20 MCH6635	PDF
CPH5835 Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに	Original	CPH5835 MCH3309) SBS010M) 600mm2 12805PE TB-00001006 IT05882 IT05881 CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M	PDF
82074 Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに	Original	CPH5835 MCH3309) SBS010M) 600mm2 12805PE TB-00001006 IT05882 IT05881 82074 CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M	PDF
ENN8206 Abstract: CPH5810 MCH3312 Contextual Info: CPH5810 Ordering number : ENN8206 CPH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS001)	Original	CPH5810 ENN8206 MCH3312) SBS001) ENN8206 CPH5810 MCH3312	PDF
CPH5810 Abstract: MCH3312 Contextual Info: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 三洋半導体データシート N CPH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）	Original	CPH5810 MCH3312 SBS001 600mm2 12805PE TA-100105 IT09167 IT09166 CPH5810 MCH3312	PDF
MCH6635 Contextual Info: MCH6635 Ordering number : ENN8217 P-Channel Silicon MOSFET MCH6635 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing high-density mounting.	Original	MCH6635 ENN8217 900mm2 MCH6635	PDF
CPH6320 Contextual Info: CPH6320 Ordering number : ENN8208 P-Channel Silicon MOSFET CPH6320 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol	Original	CPH6320 ENN8208 1200mm2 25Ltd. CPH6320	PDF
MCH3406 Abstract: SBS010M CPH5831 Contextual Info: CPH5831 Ordering number : ENN8220 CPH5831 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converters. Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained	Original	CPH5831 ENN8220 MCH3406) SBS010M) MCH3406 SBS010M CPH5831	PDF
CPH3309 Abstract: CPH5835 MCH5835 SBS010M Contextual Info: CPH5835 Ordering number : ENN8207 CPH5835 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET CPH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained	Original	CPH5835 ENN8207 CPH3309) SBS010M) CPH3309 CPH5835 MCH5835 SBS010M	PDF
SCH2807 Abstract: MARKING QG Contextual Info: SCH2807 Ordering number : ENN8215 SCH2807 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET SCH1407 and a schottky barrier diode (SS05015)	Original	SCH2807 ENN8215 SCH1407) SS05015) SCH2807 MARKING QG	PDF