IT1326 Search Results

HK-12S120-1010

Abstract: tn8d51a 4 FB TN8D51 IT1326
Contextual Info: TN8D51A 注文コード No. N A 0 9 8 5 三洋半導体データシート N TN8D51A Excellent-Performance Power & RF Device 他励型降圧スイッチングレギュレータ 12V 出力 特長 ・高効率(オン抵抗 80mΩ, 縦型 P-ch パワ− MOSFET)。

Contextual Info: TN8D51A Ordering number : ENA0985 SANYO Semiconductors DATA SHEET ExPD Excellent-Performance Power & RF Device TN8D51A Separately-Excited Step-Down Switching Regulator (12V Output type) Features • • • • • • High efficiency (ON resistance 80mΩ, Vertical-type P-ch Power MOSFET).

tn8d51a

Abstract: HK-12S120-1010 switching regulator 12v nippon kze 2wl1 IT1326
Contextual Info: TN8D51A Ordering number : ENA0985 SANYO Semiconductors DATA SHEET ExPD Excellent-Performance Power & RF Device TN8D51A Separately-Excited Step-Down Switching Regulator (12V Output type) Features • • • • • • High efficiency (ON resistance 80mΩ, Vertical-type P-ch Power MOSFET).

a1044

Abstract: A1044-1 A10441
Contextual Info: SCH2311 Ordering number : ENA1044 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2311 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

Contextual Info: MCH6655 Ordering number : ENA1043 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6655 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

A1039

Abstract: A10391 6hp04 6HP04CH A10393
Contextual Info: 6HP04CH Ordering number : ENA1039 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET 6HP04CH General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage

it1327

Abstract: A1044 A1044-1 A10441
Contextual Info: SCH2311 注文コード No. N A 1 0 4 4 三洋半導体データシート N SCH2311 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

A1043

Contextual Info: MCH6655 注文コード No. N A 1 0 4 3 三洋半導体データシート N MCH6655 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。