MDT10P Search Results

MDT10P72

Contextual Info: MDT10P72 1. General Description -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static u CMOS technology process to achieve higher speed and -5 analog inputs multiplexed into one A/D smaller size with the low power consumption and high noise

910U

Abstract: ldr 6k MDT10P651
Contextual Info: MDT10P651 1. General Description -CCP1, CCP2, SCM, USAR, USAT, PCM u TMR0 : 8-bit real time clock/counter This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static TMR1 : 16-bit real time clock/count CMOS technology process to achieve higher speed and TMR2 : 8-bit clock/counter internal

MDT10P432

Abstract: S31-S38 mdt*10P432
Contextual Info: MDT10P432 1. 概述 上电复位 内部 RC 432K, 440K, 455K, 480KHz 在 OPTION 这个 8 位基本内存控制器是一个集高速体积小、低功 里选择 耗和抗高噪声一体的静态 CMOS 芯片。它包括 512 个字 系统时钟: 455KHz 晶振 OSC1 电容 50P; OSC2

mdt10p621

Contextual Info: MDT10P621N AB 1. General Description -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static TMR0 : 8-bit real time clock/counter CMOS technology process to achieve higher speed and TMR1 : 16-bit real time clock/count smaller size with the low power consumption and high

MDT10P621

Abstract: 20MHZ pa 4010 12OSC1
Contextual Info: MDT10P621 1. 概述 －TMR0，TMR1，TMR2 时钟 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 4K 字节 EPROM 和 192 字节静态 RAM。 －PORTB＜7：4＞电平变化中断

MDT10P41A1P

Abstract: 200H MDT10P41A1
Contextual Info: MDT10P41A1 1. 概述 这个基于 EPROM 的 8 位控制器是一个集高 速体积小、低功耗和抗高噪声一体的静态 CMOS 芯片。内部 RC 振荡器。 它包括 1K EPROM 和 31 字节静态 RAM。 2. 特点 集成 CMOS 静态设计方案

Contextual Info: MDT10P72N AB 1. General Description -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static A/D converter module: CMOS technology process to achieve higher speed and -5 analog inputs multiplexed into one A/D smaller size with the low power consumption and high

12OSC1

Abstract: MDT10P72 XT 4MHZ 20MHZ
Contextual Info: MDT10P72 1. 概述 －TMR0，TMR1，TMR2 时钟 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 2K 字节 EPROM 和 128 字节静态 RAM。 －A／D 转换完成

cf 455

Abstract: MDT10P23
Contextual Info: MDT10P23 CF 1. General Description This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS design technology to achieve high speed, small size, low power and high noise immunity. On chip memory includes 2K words EPROM and80 bytes static RAM. Four comparator inputs with external Vref

MDT10P62

Abstract: MDT10P
Contextual Info: MDT10P62 BB 1. General Description -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS technology process to achieve higher speed TMR0 : 8-bit real time clock/counter and smaller size with the low power consumption and

MDT10P65

Abstract: MDT10P65A1Q MDT10P65A2Q MDT10P65SD42 RT 8284 N pd711
Contextual Info: MDT10P65 1. General Description This OTP-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS technology process to achieve higher speed and smaller size with the low power consumption and high noise immunity. On chip memory includes 4K words of EPROM, and 192 bytes of static RAM.

MDT2020

Abstract: MDT2005 mdt2010e pic16c57 MDT10P21 MDT10P23 MDT2010 28PIN IC
Contextual Info: MDT10P21/22/23 应用事项 MDT10P21/22/23 应用事项 一 使用 MDT10P2x 的优点: (1). MDT10P2x 价格较 MDT2020 低 è 可以降低成本. (2). MDT10P2x 体积较 MDT2020 小 è 可省 Layout 空间. (3). MDT10P2x I/O 较 MDT2005/MDT2010 多 è 可以多些控制.

MDT10P05

Abstract: IC TTL 4700
Contextual Info: MDT10P05 BG 1.概述 这个 8 位基本内存控制器是一个集高速体 积小、低功耗和抗高噪声一体的静态 CMOS 芯片。它包括 0.5K ROM 和 32 字节静态 RAM。 四种可选振荡器起始定时器定时时间：150 s，20ms，40ms，80ms

20MHZ

Abstract: 100nnn
Contextual Info: MDT10P621N AB 1. 概述 －TMR0，TMR1，TMR2 时钟 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 4K 字节 EPROM 和 192 字节静态 RAM。 －PORTB＜7：4＞电平变化中断

MDT10P721

Abstract: 20MHZ
Contextual Info: MDT10P721 BB 1. 概述 －A／D 转换完成 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 4K 字节 EPROM 和 192 字节静态 RAM。 －PORTB＜7：4＞电平变化中断

Contextual Info: MDT10P62N AB 1. General Description -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS technology process to achieve higher speed TMR0 : 8-bit real time clock/counter and smaller size with the low power consumption and

20MHZ

Abstract: MDT10P62 12OSC1 MDT10P621
Contextual Info: MDT10P62 .1. 概述 －CCP，SCM 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 2K 字节 EPROM 和 128 字节静态 RAM。 TMR0 : 8 位时钟／记数器

20MHZ

Abstract: MDT10P721
Contextual Info: MDT10P721 1. 概述 －A／D 转换完成 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 4K 字节 EPROM 和 192 字节静态 RAM。 －PORTB＜7：4＞电平变化中断

MDT10P621

Abstract: MDT10P
Contextual Info: MDT10P621 BB -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM 1. General Description This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS technology process to achieve higher speed and smaller size with the low power consumption and high noise immunity. On chip

20MHZ

Abstract: MDT10P62 MDT10P
Contextual Info: MDT10P62 BB .1. 概述 －CCP，SCM 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 2K 字节 EPROM 和 128 字节静态 RAM。 TMR0 : 8 位时钟／记数器

MDT10P432

Contextual Info: MDT10P432 1. General Description relative addressing modes Power-on Reset This 8-bit Micro-controller with built-in carrier Internal RC 432K, 440K, 455K, 480KHz generator uses a fully static CMOS technology to select in option. achieve high speed, small size, low power and

K155A

Abstract: MDT10P20 21PC3 200H 20MHZ 400H M230A k120a 6AR5
Contextual Info: MDT10P20 BF 一 概述 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静态 CMOS 技术设计，集高速、体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。 内存包括 2.0K 字节 ROM 和 80 字节静态 RAM。 二、 特点 如下是关于软硬件的一些特点：

MDT10P7401

Abstract: MDT10P7401L11 MDT10P7401P11 MDT10P7401Q11
Contextual Info: MDT10P7401 1. General Description A/D converter module: -8 analog inputs multiplexed into one A/D This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static converter CMOS technology process to achieve higher speed and -10-bit resolution smaller size with the low power consumption and high

200H

Abstract: MDT10P22 1k BIT WORD STATIC RAM
Contextual Info: MDT10P22 DF 1. General Description This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS design technology to achieve high speed, small size, low power and high noise immunity. On chip memory includes 1K words EPROM and80 bytes static RAM. Four comparator inputs with external Vref