OHF02331 Search Results

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 313 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 740 . 1080 nm • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy • Special: 5 mm plastic package • High photosensitivity

Q62702-P1667

Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform

TRANSISTOR K 314

Abstract: SFH 314 SFH314FA
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) und bei 880 nm (SFH 314 FA)

transistor 313

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA)

p5050

Abstract: LED "1060 nm" "MA 3500" IC emitter "1060 nm" fototransistor led phototransistor 500-600 nm GEO06968 GEO06969 Q62702-P5031 Q62702-P5032
Contextual Info: NPN Silizium Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3500/FA SFH 3505/FA 2.05 R 1.95 3.2 (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.4 Vorläufige Daten / Preliminary Data (3.2) -0.1.0.1 3.7 3.3 14.7 13.1 6.0 5.4 2.54 mm spacing

Contextual Info: 2007-04-03 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 314, SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 nm.1080 nm SFH 314 , 740 nm. 1080 nm (SFH 314 FA) • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy

SFH 314

Abstract: Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758 TRANSISTOR K 314
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform

OS-PCN-2006-015-A

Abstract: GEXY6710 OHLY0598 Q62702-P3596
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Not for new design (valid till DC0837, additional information see OS-PCN-2006-015-A) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

GEX06260

Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753 Q62702-P1754
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 1.8 1.2 29 27 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fexf6626 Cathode Diode Collector (Transistor)

P3596

Abstract: GEXY6710 Q62702-P1673 Q62702-P3595 Q62702-P3596 Q62702-P874
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität

P3596

Abstract: Q62702-P3595 Q62702-P1673 Q62702-P3596 Q62702-P874
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität • 3 mm-Plastikbauform

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)

TRANSISTOR K 314

Abstract: foto transistor SFH 314 phototransistor 500-600 nm GEX06630 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757
Contextual Info: SFH 314 SFH 314 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 5.9 5.5 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor) ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 SFH 314 SFH 314 FA feo06652 .Neu: 4.0

TRANSISTOR K 314

Abstract: foto transistor Q62702-P1668 Q62702-P1675
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität

p5050

Abstract: GEO06968 GEO06969 Q62702-P5031 Q62702-P5032 Q62702-P5050 Q62702-P5051 FA 8 600
Contextual Info: 2.05 R 1.95 3.2 (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 SFH 3500/FA SFH 3505/FA 2.7 2.4 NPN Silizium Fototransistor Silicon NPN Phototransistor (3.2) -0.1.0.1 3.7 3.3 14.7 13.1 6.0 5.4 2.54 mm spacing GEO06968 SFH 3500/FA 4.5 3.9 7.7 7.1

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform

foto transistor

Abstract: OHF02331 p1752 phototransistor 500-600 nm GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753
Contextual Info: SFH 313 SFH 313 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.6 0.4

foto transistor

Abstract: phototransistor 600 nm GEX06710 Q62702-P1673 Q62702-P874
Contextual Info: SFH 310 SFH 310 FA 4.8 4.4 1.1 0.9 1.8 1.2 29.0 27.0 3.7 3.5 6.1 5.7 0.6 0.4 Chip position GEX06710 feof6653 Collector/ Cathode 3.4 3.1 ø2.9 ø2.7 2.7 2.1 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat SFH 310 SFH 310 FA feo06653 Neu: NPN-Silizium-Fototransistor

p5050

Abstract: Q62702-P5031 Q62702-P5050 Q62702-P5205 Q62702-P5206 Q62702-P5207 GEOY6969 Q62702-P5051
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor in SMR Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMR® Package SFH 3500/FA SFH 3505/FA SFH 3500 SFH 3500FA SFH 3505 SFH 3505FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1060 nm SFH 3500/3505 und

p5050

Abstract: Q62702-P5031 Q62702-P5050 Q62702-P5205 Q62702-P5206 Q62702-P5207
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor in SMR Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMR® Package SFH 3500/FA SFH 3505/FA SFH 3500 SFH 3500FA SFH 3505 SFH 3505FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1060 nm SFH 3500/3505 und

foto transistor

Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702P3598
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität

Q62702-P5031

Abstract: Q62702-P5050 Q62702-P5205 Q62702-P5206 Q62702-P5207 FA 8 600 SFH 340
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor in SMR Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMR Package SFH 3500/FA SFH 3505/FA SFH 3500 SFH 3500FA SFH 3505 SFH 3505FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1060 nm SFH 3500/3505 und

GEOY6969

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor in SMR Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMR® Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3500/FA SFH 3505/FA SFH 3500 SFH 3500FA SFH 3505 SFH 3505FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität • 3 mm-Plastikbauform