Q62703Q1820 Search Results

osram ir ld 274

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484

GEXY6051

Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111

osram ir ld 274

Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484

FP 310

Abstract: Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A
Contextual Info: Alphanumerisches Typenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Typ Type Bestellnummer Ordering code 4N25 4N26

GEX06260

Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g

STR G 8654

Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Contextual Info: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date

Contextual Info: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Sehr enger Abstrahlwinkel • GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 Features • Very highly efficient GaAs-LED

lg 6154

Abstract: KTY 10-8 DL1416 KTY 20-5 DL440 O62902-B156-F222 Q62901-B64
Contextual Info: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummern Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: NeueTypenbezeichnungen bei Si-Fotodetektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer lyp

LD275 led

Abstract: MARKING 73 LD275 A235L SFH 567 siemens LD LD274
Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 LD 275 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Sehr enger Abstrahlwinkel LD 274 • GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Contextual Info: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

KTY 88

Abstract: KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222
Contextual Info: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummem Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer Ordering code

Q62703-Q1031

Abstract: Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Contextual Info: LD 274 LD 274 fex06260 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Sehr enger Abstrahlwinkel ● GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

isl 6251 schematic

Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
Contextual Info: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.

Q62703Q1820

Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Contextual Info: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487

osram ir ld 274

Abstract: GEX06051 OHRD1938
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484

GEX06260

Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g

LD274

Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Contextual Info: LD 274 LD 274 fex06260 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Sehr enger Abstrahlwinkel ● GaAs-IR-LED, hergestellt im ● Extremely narrow half angle

GEX06051

Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen

Contextual Info: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 Features: • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Same package as SFH 484 • • • • Applications

GEX06048

Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 LD274
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 Features • Very highly efficient GaAs-LED