BPX 65 Search Results

foto sensor

Abstract: BPX66 Q62702-P27 Q62702-P80 VL320 41870
Contextual Info: BPX 65 BPX 66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

foto sensor

Abstract: BPX-65 foto transistor Q62702-P80 Q62702-P27
Contextual Info: BPX 65 BPX 66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

bpy 79

Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
Contextual Info: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2

bpx65r

Abstract: photodetector bpx65 photodiode BPX65 BPX-65B BPX-65R 820nM BPX-65 AX65-R2F AX65R2F
Contextual Info: High Speed Photodiodes BPX-65 Series The BPX-65 is a high speed, high quality silicon photodetector which is manufactured in large quantity and offers an excellent price-to-performance ratio. Its high frequency response, sensitivity and low cost make the BPX-65 suitable for applications including

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

foto sensor

Abstract: osram bpx 65 photodiode BPX osram GETY6013 Q62702-P27
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 , geeignet bis 125 oC

foto sensor

Abstract: BPX65 GET06013 Q62702-P27 bpx 65
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 , geeignet bis 125 oC1) Features

foto sensor

Abstract: tci 571 GETY6013 Q62702-P27 BPX-65
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 , geeignet bis 125 oC1) Features

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

BPX osram

Abstract: BPX-65 tci 571 GETY6013 OHLY0598 Q62702P0027
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

RADIALL CONTACT 620 600 257

Abstract: Radiall arinc 620 600 Radiall arinc 620 800 066 Radiall 620 600 238 311601 coax FILOTEX METAL BRAID radiall 617 610 connector ABS1503KD24 Adams-Russell FC cable awg Radiall arinc 600 NSX
Contextual Info: NSX ARINC 600 INTRODUCTION MULTICONTACT CONNECTORS NSX- ARINC 600 / BPX NSX series defined by ARINC 600 specification and BPX series (defined by Bœing S280W551 specification) are multipin rack and panel connectors used to connect high performance aeronautical equipments.

phototransistor 650 nm

Abstract: foto transistor Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 BPX 38
Contextual Info: BPX 38 BPX 38 fmo06018 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm

SIEMENS Phototransistors BPY

Abstract: 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10
Contextual Info: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren Summary of Types Typenübersicht 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors ♦ SFH 506 BPX 81 3. SFH 300/FA SFH 313/FA SFH 314/FA BP 103 SFH 302 SFH 305 BPX 83 BP 104 F BPW 34 FA

BPX48

Abstract: SFH291 SFH100 fh205 BPW-21 SFH 314 fotodioden SFH317 bpx90 SFH2030
Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors Typenübersicht Summary of Types 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors S ' y •- S BP 103 SFH 302 S F H 50 6 BPX81 BPX 83 SFH 305 V BP X 90/F BPX 38 BP 103 B/BF SFH 313/FA

13C2 insert

Abstract: 282549001 120T2 S280W551 617 610 417 radiall S280W552
Contextual Info: 4 NSX - BPX series Arinc 600 Page Page NSX - ARINC Introduction . 4-4 to 4-5 Application . 4-6

Contextual Info: SIEMENS BPX 65 BPX 66 SILICON PIN PHOTODIODE Package Dimensions in Inches mm .216(5 5) 197 (5 0) 570(14 5) 492(12 5) 208(5 3) .197(5.0) Jl* 0.100 _L/ (2 5 4 t 7 Cathode 1 0 018(0 45) T 0 2 2 0 (5 6) 0 208(5 3) ' - c 102, 189(4 8) (2 6 ) 181 (4.6) Chip Location

BPX65 amplifier

Abstract: NE5212 Signetics BPX65 photodiode BPX65 BPX65-100ST BPX65-100SMA NE5212 5902 BPX65-100 BPX-65
Contextual Info: Fiberoptic Receiver_ BPX65-100 The BPX65-100 receiver contains a BPX-65 ultra high speed photodiode coupled to an NE5212 Signetics transimpedance amplifier. Standard products include ST and SMA connector versions. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Max. Rating

osram bpx 65 photodiode

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 350nm bis 1100nm • Kurze Schaltzeit (typ. 12 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 oC

Photodiode laser detector BPX-65

Abstract: UDT Sensors BPX65 high sensitive PIN-HR008 BPX65 PIN-HR040L
Contextual Info: High Speed Silicon Photodiodes High Speed Silicon Series UDT Sensors High Speed Silicon series are small area devices optimized for fast response time or High bandwith applications. The BPX-65 complements the rest of the high speed group with an industry standard.

BPX65

Contextual Info: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 65 Features: Besondere Merkmale: • Wavelength range S10% 350 nm to 1100 nm • Short switching time (typ. 12 ns) • Hermetically sealed metal can package (TO-18), suitable up to 125 °C

bpx38 application

Abstract: BPX38 950nm
Contextual Info: BPX 38 TELEFUNKEN Semiconductors Silicon NPN Phototransistor Description BPX38 is a high sensitive silicon NPN epitaxial planar phototransistor in a standard TO–18 hermetically sealed metal case with a flat glass window. A superior linearity of photocurrent vs.

Light dark detector alarm by ic 555

Abstract: ic 555 use with metal detector BPX43 ma 8127 BPX43-4
Contextual Info: BPX 43 TELEFUNKEN Semiconductors Silicon NPN Phototransistor Description BPX43 is a very high sensitive silicon NPN epitaxial planar phototransistor in a standard TO–18 hermetically sealed metal case with a glass lens. A superior linearity of photocurrent vs.

osram bpx 65 photodiode

Abstract: BPX-65 350nm
Contextual Info: 2011-10-20 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BPX 65 Features: Besondere Merkmale: • Wavelength range S10% 350 nm to 1100 nm • Short switching time (typ. 12 ns) • Hermetically sealed metal can package (TO-18), suitable up to 125 °C

GEO06021

Abstract: OHRD1938 Q62703-Q395 Q62703-Q67
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 81 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability