K3TX-VD21A
Abstract: K3TX K3TX-VA21A K3TX-AD21A K3TX-AA21A K3TX-VD22A K3TX-AD22A K3TX-VA22A K3TX-AA23A 48A110
Text: AFFICHEUR PROGRAMMABLE IK3TX Convertisseur de signaux acceptant des entrées tension et courant c.a. et c.c. Facteur échelle programmable Entrée zéro forcé pour calibration aisée Vitesse d’affichage sélectionnable pour un affichage stable Large gamme de sorties, y compris des sorties
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porte logique
Abstract: porte logique et porte logique and circuit logique PE95420
Text: NEWS RELEASE November 2008 Un commutateur SPDT Peregrine Semiconductor fonctionnant à 8,5 GHz Un isolement jusqu’à 82 dB à 100 MHz idéal pour les applications IF à la bande X Peregrine Semiconductor Corporation, fournisseur des circuits intégrés RF CMOS et à signaux mixtes
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PE95420,
PS139fr
porte logique
porte logique et
porte logique and
circuit logique
PE95420
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TYM S250
Abstract: No abstract text available
Text: EMI & TEMPEST FILTERS SIGNALS / FILTRES EMI & TEMPEST SIGNAUX Dimensions en mm TYL TYM TYT MY MYT - 2048 - 2048 - 2048 - 100T - 100T -4 -4 -4 -4 -4 42 57 70 31,5 51,6 How to order These filter modules, for 1 pair or 1 quart circuits are intented for the protection of the following lines :
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2N2891
Abstract: 150N50 2N2890
Text: 2N 2890 2N 2891 NPN S IL IC O N T R A N S IS T O R S , E P IT A X IA L P LA N A R T R A N S IS T O R S NPN S IL IC IU M , P L A N A R E P IT A X IA U X • L F large signal amplification high voltage Amplification BF grands signaux (haute tension) - Switching up to 1 A
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C22B
Abstract: 2N2865 C22B1
Text: 2N 2865 NPN S IL IC O N T R A N S IS T O R , E P IT A X IA L PLAIMAR TRANSISTOR NPN SILIC IU M , PLAN A R E P ITAXIAL • V H F amplification small signal A m plification VHF petits signaux * Mixer and oscillator applications Applications en mélangeur e t oscillateur
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200us
C22B
2N2865
C22B1
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Transistor 3773
Abstract: 3773 2N3773 3773 P ic 3773 2N4348 N3773 2N 3773 3773 IC 4348
Text: *2N 3773 *2N 4348 NPN SILICON TRANSISTORS, HOMOBASES TR A N SISTO R S NPN SILIC IU M . H OM OBASES •fc Preferred device D is p o s itif re co m m a n d é • LF large signal power amplification - Amplification B F grands signaux de puissance V CEO High current switching
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CB-19
Transistor 3773
3773
2N3773
3773 P
ic 3773
2N4348
N3773
2N 3773
3773 IC
4348
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Transistor bdy 58
Abstract: Tektronix 7603 BDY58 emetteur Tektronix
Text: NPN SILIC O N TR A N S IS TO R S , D IF F U S E D MESA DUT J / BDY58 TR A N S IS TO R S NPN S IL IC IU M , M ESA D IF F U S E S LF large signal power amplification A m p lific a tio n B F grands signaux de puissance 8 0 V \ 125 V V CEO High current fast switching
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BDY58
CB-19
Transistor bdy 58
Tektronix 7603
BDY58
emetteur
Tektronix
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c3v5
Abstract: 2N6101 A 6099 6099 transistor ESM 2N6099 CARACTERISTIQUES transistor bf 422 NPN
Text: 2I\I 6099 NPN SILICON TRANSISTOR, HOMOBASE |^| g -j Q-| TR A N S IS TO R N P N S IL IC IU M , H O M O B A S E Compl. of ESM 141, ESM 142 • LF large signal power amplification A m plification B F grands signaux de puissance V - High current switching CEO
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2N6101
O-220
CB-117on
CB-117
c3v5
2N6101
A 6099
6099
transistor ESM
2N6099
CARACTERISTIQUES transistor bf 422 NPN
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2N1132
Abstract: 2N1131 1132 2n 1131 H12B 1131
Text: 2N1131 2N1132 PNP SILICON TRANSISTORS, PLANAR T R A N S IS T O R S PNP S IL IC IU M , P L A N A R - General use Usage général - Small signal LF amplification -3 5 V v CEO A m p lific a tio n B F p e tits signaux h jiE 150 mA| Case TO-39 B o îtie r ABSOLUTE RATINGS (LIM ITIN G VALUES
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2IM1131
2N1132
2N1132
2N1131
1132
2n 1131
H12B
1131
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2N2483
Abstract: 2N2484 2n 2483
Text: 2 N 2483 * 2 N 2484 NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILIC IU M , PLAN A R E P IT A X IA U X Preferred device D isp o sitif recommandé - LF small signal amplification low noise A m plification B F p etits signaux (faible b ru it)
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O-18-See
10/iA
10juA
2N2483
2N2484
2n 2483
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BCY69
Abstract: BCY 69 transistor 468
Text: BCY 69 NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN S ILICIUM , PLANAR EPITAXIAL - LF small signal amplification low noise Amplification BP petits signaux (faible bruit) v CEO 20 V 'c 100 mA *216 (2 600 - 900 F (0,2 mA) 5 dB max Maximum power dissipation
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2n706
Abstract: SCHEMA 2n 706
Text: 2N 706 NPN SILICON TRANSISTOR, PLANAR TRANSISTOR NPN SILIC IU M , PLANAR - Small signal amplification A m plifica tio n p etits signaux - Low current fast switching 25 V VCBO Commutation rapide faible courant ^21E mA h Maximum power dissipation Case TO-18
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1616
Abstract: 2N1616-1 i617 signaux 2N1617 2N1616
Text: 2I\11616 2N 1617 2I\I 1618 NPN S IL IC O N T R A N S IS T O R S , D IF F U S E D M E S A TRANSISTORS NPN SILIC IU M , MESA DIFFUSES - L F large signal a m p lifica tio n A m plification BF grands signaux - V CEO High current suitching Commutation fo r courant
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2I\11616
CB-69
161BOi
1616
2N1616-1
i617
signaux
2N1617
2N1616
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2N4347
Abstract: 3632N w15c
Text: 2N 4347 NPN SILICON TRANSISTOR, HOMOBASE TRANSISTOR NPN SILICIUM , HOMOBASE LF large signal power amplification Amplification de puissance de grands signaux BF Thermal fatigue inspection Contrôle en fatigue thermique v CEO 120 V 5 A *tot 100 W Rth j-c
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CB-19
2N4347
2N4347
3632N
w15c
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led 5030
Abstract: RTM5030G ya45 5030 RTM5030
Text: MENTOR 0 3 und 5 mm LED’s in Metallfassungen Technische Daten Technical Data Werkstoff, Fassung Bezel Material 0 3 and 5 mm Bezel LED’s Signaux LED 0 3 et 5 mm, corps chromé Messing, hochgl. verchr./Brass, mirror chromefinished Werkstoff, Einsatz Insert Material
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5030-PC/RTM
3030-POM
led 5030
RTM5030G
ya45
5030
RTM5030
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EAA91
Abstract: 871 diode UB41
Text: PHILIPS UB 41 DOUBLE DIODE with separate cathodes for signal detection and other purposes DIODE DOUBLE avec cathodes séparées pour la détection de signaux et d ’autres utilisations DOPPELDIODE mit getrennten Kathoden für Empfangsgleichrichtung und andere Zwecke
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7R039A6
7R0391
7RQ286&
10VHF
Ifofeffj50
EAA91
871 diode
UB41
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MAX420
Abstract: No abstract text available
Text: PHILIPS AB 1 AB 2 DOUBLE DIODE for signal detection and other purposes DOUBLE DIODE pour la detection de signaux et d ’autres utilisations DOPPELDIODE für Empfangsgleichrichtung und andere Zwecke Heating indirect îparallel supply Chäuffage: indirect ¡alimentation- pa:
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ECH200
Abstract: AMPLIFICATEUR signaux
Text: M AZDA BELVU TRIODE KEPTODE PCH 200 Séparateur et am plificateur des signaux de synchronisation TV Standard CCIR CARACTERISTIQUES GENERALES Cathode à chauffage indirect Alimentation du filament en série T ension filam ent. Vf
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ECH200.
ECH200
AMPLIFICATEUR
signaux
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ECH84
Abstract: G409
Text: M AZDA E3ELMU t r io d e 3 4 h e p to d e „ S éparateur et am p lificateu r d es signaux de sy n ch ro n isatio n de té lé v isio n Standard C .C .I.R , C ARA CT ERISTIQ U ES G EN ER A LE S C athode à chauffage in d ire c t A lim entation du filam ent en s é rie ou en p a ra llè le
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A22-3
ECH84
G409
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ECH200
Abstract: 10C12 Maa 435
Text: M AZDA ¡II \ l TRIODE HEPTODE Séparateur et amplificateur des signaux de synchronisation de télévision Standard C .C .I.R . fcCH 200 C A R A C T E R IST IQ U E S G E N E R A L E S Cathode à chauffage indirect Alimentation du filament en parallèle Tension filament . Vf
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A22-2
10C12
ECH200
10C12
Maa 435
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c3v5
Abstract: Bf 417 g transistor A 6099 2N6101 2N6099 6101 JI40 N2468
Text: 2I\I 6099 NPN SILICON TRANSISTOR, HOMOBASE |^| g -j Q-| TR A N S IS TO R N P N S IL IC IU M , H O M O B A S E Compl. of ESM 141, ESM 142 • LF large signal power amplification A m plification B F grands signaux de puissance V - High current switching CEO
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2N6101
O-220
CB-117on
CB-117
c3v5
Bf 417 g transistor
A 6099
2N6101
2N6099
6101
JI40
N2468
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2N2818
Abstract: 2N2815 2816 2N2816 c 2818 2818 2N2817 AH-21
Text: * 2 N 2815 * 2 N 2816 * 2 N 2817 * 2 N 2818 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA TRANSISTORS NPN SILIC IU M , MESA DIFFUSES Preferred device D is p o s itif re co m m a n d é LF large signal amplification 80 V 100 V S 150 V 200 V A m plification BF grands signaux
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CB-70
2N2818
2N2815
2816
2N2816
c 2818
2818
2N2817
AH-21
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BDX14
Abstract: BDX 14
Text: * BDX 14 PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE TR A N SIS TO R S PNP S IL IC IU M , BASE E P IT A X IE S Compì, of 2N 3054 ^P re ferred device D isp o sitif recommandé - LF large signal power amplification A m plification B F grands signaux de puissance
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CB-72
BDX14
BDX 14
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2N4902
Abstract: 2N4901 2N4903 U 1 S C 4901 4903 2N4803 boitier to3 2n4802 2N 4903
Text: PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE 2N 4901 TRANSISTORS PNP S IL IC IU M , BASE E P ITAXIEE 2 |^ | 4 0 Q 2 2 N 4903 LF large signal power amplification A m p lifica tio n B F grands signaux de puissance v CEO Switching medium current | Commutation courant moyen
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CB-19
2N4902
2N4901
2N4903
U 1 S C 4901
4903
2N4803
boitier to3
2n4802
2N 4903
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