2SC2982 Search Results
2SC2982 Price and Stock
Toshiba America Electronic Components 2SC2982-B (TE12R,C) |
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2SC2982-B (TE12R,C) | 8,600 |
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Toshiba America Electronic Components 2SC2982-B(TE12L,C) |
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2SC2982-B(TE12L,C) | 23,341 |
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Toshiba America Electronic Components 2SC2982BSBTE12LElectronic Component |
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2SC2982BSBTE12L | 980 |
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2SC2982 Datasheets (19)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | PDF Size | Page count | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC2982 | Kexin | Medium Power Amplifier Applications | Original | 343.75KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 |
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NPN Transistor | Original | 148.62KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 |
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Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book | Scan | 44.21KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 | Unknown | The Transistor Manual (Japanese) 1993 | Scan | 102.39KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 | Unknown | Transistor Substitution Data Book 1993 | Scan | 32.67KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 | Unknown | Transistor Shortform Datasheet & Cross References | Scan | 80.21KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 | Unknown | Japanese Transistor Cross References (2S) | Scan | 36.09KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 | Unknown | Catalog Scans - Shortform Datasheet | Scan | 50.05KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 |
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Silicon NPN transistor for strobo flash applications and medium power amplifier applications | Scan | 195.97KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 |
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SOT-89 Transistors | Scan | 46.88KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982 |
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SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) TRANSISTOR | Scan | 196.48KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982-? | Unknown | Transistor Shortform Datasheet & Cross References | Scan | 80.21KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982-A | Unknown | Transistor Shortform Datasheet & Cross References | Scan | 80.21KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982A |
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Silicon NPN Transistor | Scan | 109.89KB | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC2982-B | Unknown | Transistor Shortform Datasheet & Cross References | Scan | 80.21KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982B |
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Silicon NPN Transistor | Scan | 109.9KB | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982C |
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Silicon NPN Transistor | Scan | 109.89KB | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982-D | Unknown | Transistor Shortform Datasheet & Cross References | Scan | 80.21KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2982D |
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Silicon NPN Transistor | Scan | 109.9KB | 3 |
2SC2982 Datasheets Context Search
Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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smd transistor 2A
Abstract: smd transistor MARKING 2A 2SA1314 2SC2982
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Original |
2SA1314 -50mA) 2SC2982 -10mA -50mA smd transistor 2A smd transistor MARKING 2A 2SA1314 2SC2982 | |
2SC2982Contextual Info: TO SHIBA 2SC2982 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS 2SC2982 Unit in mm STOROBO FLASH APPLICATIONS M EDIUM PO W ER AM PLIFIER APPLICATIONS 1.6 M AX — 1.7MAX. • High DC Current Gain and Excellent hpg Linearity 0.4 ±0.05 t t - : hFE (1) = 140-600 (Vce = IV, Ie = 0.5A) |
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2SC2982 250mm2x0 2SC2982 | |
E5 ou ic
Abstract: 2SC2982
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2SC2982 250mm2x0 E5 ou ic 2SC2982 | |
2SC2982
Abstract: 2SA1314
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Original |
2SC2982 2SA1314 2SC2982 2SA1314 | |
Contextual Info: SMD Type Product specification 2SA1314 Features Low Saturation Voltage : VCE sat = -0.5V (max) (IC = -2A, IB = -50mA) Small Flat Package Complementary to 2SC2982 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Parameter VCBO -20 |
Original |
2SA1314 -50mA) 2SC2982 -50mA | |
2SA1314
Abstract: 2SC2982
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Original |
2SC2982 2SA1314 2SA1314 2SC2982 | |
Contextual Info: 2SC2982 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT process 2SC2982 Storobo Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • Unit: mm High DC current gain and excellent linearity : hFE (1) = 140 to 600 (VCE = 1 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 70 (min), 140 (typ.), (VCE = 1 V, IC = 2 A) |
Original |
2SC2982 2SA1314 | |
Contextual Info: T O S H IB A 2SC2982 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS 2SC2982 U nit in mm STOROBO FLASH APPLICATIONS M EDIUM PO W ER AM PLIFIER APPLICATIONS 1.6MAX —J— 1.7MAX. • High DC Current Gain and Excellent hjnE Linearity 0.4 ±0.05 |
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2SC2982 | |
2SC2982
Abstract: marking sc-62 cj
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2SC2982 2SC2982 marking sc-62 cj | |
2SA1314
Abstract: 2SC2982
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Original |
2SC2982 2SA1314 SC-62 20070701-JA 2SA1314 2SC2982 | |
2SA1314
Abstract: 2SC2982
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Original |
2SC2982 2SA1314 2SA1314 2SC2982 | |
2SC2978
Abstract: 2SC2936 2SC2950 2SA1227 2SC2954 2SC2918 2SC2932 2SC2933 2SC2936H 2SC2941
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2SC2932 2SC2933 2SC2936 2SC2936H 2SC2941 2SC2944 2SC2946 2SC2978 O-220ABB 2SC2978 2SC2950 2SA1227 2SC2954 2SC2918 2SC2932 2SC2933 | |
2SC2982
Abstract: 2SA1314 jeita sc-62
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Original |
2SC2982 2SA1314 SC-62 2SC2982 2SA1314 jeita sc-62 | |
2SA1314
Abstract: 2SC2982
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Original |
2SC2982 2SA1314 2SA1314 2SC2982 | |
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D marking amplifier
Abstract: smd transistor 2A MARKING 2A smd 2a transistor SMD MARKING 2a smd transistor MARKING 2A 2SA1314 2SC2982 smd Amplifier marking 420
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Original |
2SC2982 2SA1314 D marking amplifier smd transistor 2A MARKING 2A smd 2a transistor SMD MARKING 2a smd transistor MARKING 2A 2SA1314 2SC2982 smd Amplifier marking 420 | |
2SC2982Contextual Info: TOSHIBA 2SC2982 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS 2SC2982 Unit in mm STOROBO FLASH APPLICATIONS MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS 1.6 MAX. 4.6 MAX. 1.7MAX. • 0.4 ±0.05 High DC Current Gain and Excellent hjpg Linearity : hFE (1 ) = 140-600 (V ce = IV, Ie = 0.5A) |
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2SC2982 2SC2982 | |
2SC4793 2sa1837
Abstract: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 transistor 2SA2060 power transistor npn to-220 2sc5198 equivalent transistor 2SC5359 2SC5171 transistor equivalent NPN Transistor
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Original |
2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 transistor 2SA2060 power transistor npn to-220 2sc5198 equivalent transistor 2SC5359 2SC5171 transistor equivalent NPN Transistor | |
2SA1314
Abstract: 2SC2982
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Original |
2SC2982 2SA1314 2SA1314 2SC2982 | |
ir131Contextual Info: TOSHIBA 2SC2982 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS Unit in mm STOROBO FLASH APPLICATIONS M EDIUM PO W ER AM PLIFIER APPLICATIONS 1.6 M A X 4.6 M A X . • 1.7 M A X High DC Current Gain and Excellent hjrg Linearity : hFE (1) = 140-600 (VCE = IV, IC = 0.5A) |
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2SC2982 ir131 | |
Contextual Info: POWER M INI PACKAGE S E R IES ^ ! SOT-89 a.î'VîYw; 'S T T ITT Application Pc * Mounted on ceramic substratq o f 250mmJ x 0.8mm v CEO >C Pc PC* V) (A) (W) (W) 1.5 0.5 1 h FE Type No. NPN PNP f t TYP. v CE(sat) M AX- V CE >C 'c 'b V CE •e (V) Im A l |
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OT-89 250mmJ 2SC2883 2SC2884 2SC2873 2SC2982 2SA1203 2SA1204 2SA1213 2SA1314 | |
2N3904 331 transistor
Abstract: C549 transistor 2SK1227 transistor 1201 1203 1205 transistor C549 transistor Hand book 2N5551 2SC1815 2SK246 2n4401 331 02CZ27 transistor 737
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2N3903 2N3904 2N3905 2N3906 2N4123 2N4124 2N4125 2N4126 2N4401 2N4402 2N3904 331 transistor C549 transistor 2SK1227 transistor 1201 1203 1205 transistor C549 transistor Hand book 2N5551 2SC1815 2SK246 2n4401 331 02CZ27 transistor 737 | |
Contextual Info: 2SA1314 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT process 2SA1314 Unit: mm Strobe Flash Applications Audio Power Applications • High DC current gain and excellent linearity : hFE (1) = 140 to 600 (VCE = −1 V, IC = −0.5 A) : hFE (2) = 60 (min), 120 (typ.), (VCE = -1 V, IC = −4 A) |
Original |
2SA1314 2SC2982 | |
Contextual Info: T O SH IB A TENTATIVE TA8302F TOSHIBA BIPOLAR LINEAR INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC TA 8302F MOTOR DRIVER FOR CAMERA TA8302F is Multi Chip 1C incorporates 6 low saturation discrete transistors which equipped bias resistor and FreeWheeling diode. This 1C is suitable for a camera use motor drive |
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TA8302F 8302F TA8302F SSOP16 600mA RN5006 300mA 2SA1362 2SC2982 | |
2SC3941A
Abstract: c3277 2SC3531 2sc3358 2SC3924 2SC3532 2sc3225 2SC3356 2sc3691 2SC3737
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2SC3142 2SC3735 2SC24Q4 2SC2791 2SC3737 2SC3738 2SC3608 2SC3358 2SC3791 2SC3143 2SC3941A c3277 2SC3531 2sc3358 2SC3924 2SC3532 2sc3225 2SC3356 2sc3691 2SC3737 |